Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост. ВУЗ.

В избранное

Наличие:

В наличии

2490₽

2955 ₽

цена в розничном
магазине

Доставим в любой магазин бесплатно, Проверить наличие в

магазинах

Доставка Boxberry 1-2 дня

Характеристики

Год издания:

2023
Издательство:

Лань
Тип переплета:

Твердый переплет
Кол-во страниц:

216
ISBN:

978-5-507-45481-5
Артикул:

214505

Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации. Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.